반도체 기술 어디까지 왔나 — HBM4E 3.6TB/s와 400단 낸드가 말해주는 것

반도체 얘기는 늘 어렵게 들립니다. 나노가 몇이고 몇 단을 쌓았다는 말이 오가는데, 그게 결국 무엇이 좋아진 건지는 잘 안 남죠. 그래서 2026년에 실제로 발표된 것만 골라, 날짜와 숫자를 그대로 옮겨 정리했습니다. 해석은 되도록 줄이고 발표된 값을 나란히 놓았습니다.

이 글에 나오는 수치는 전부 삼성전자가 자사 뉴스룸에 올린 공식 발표에서 가져왔습니다. 2026년 8월 9일에 뉴스룸 피드로 받아 확인한 내용이고, 발표 시점은 항목마다 따로 적었습니다.

AI가 바꾼 건 연산이 아니라 “옮기는 일”입니다

지금 반도체에서 벌어지는 일을 한 줄로 줄이면 이렇습니다. 계산하는 속도보다 데이터를 옮기는 속도가 먼저 막혔습니다.

AI 모델이 커지면 연산 장치는 쉬지 않고 돌아야 하는데, 정작 그 장치에 데이터를 대주는 통로가 좁으면 연산기는 놀게 됩니다. 그래서 최근 몇 년의 발표를 보면 초점이 한쪽으로 몰려 있습니다. 대역폭을 넓히고, 거리를 줄이고, 같은 데이터를 옮길 때 드는 전력을 깎는 일입니다.

삼성전자가 2026년 8월 5일 미국 산타클라라에서 열린 FMS 2026에서 낸 차세대 3D 메모리 발표의 기조연설 제목이 그 방향을 그대로 보여줍니다. 「Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture」였습니다. 평면으로 넓히는 대신 위로 쌓겠다는 뜻입니다.

대역폭이라는 말이 어렵게 느껴진다면

발표문마다 대역폭이 몇 테라바이트라는 말이 나오는데, 감이 잘 안 오시죠. 도로에 비유하면 이해가 빨라요.

연산 장치를 공장이라고 하면, 메모리는 자재 창고예요. 공장이 아무리 빨라도 창고에서 자재를 실어 나르는 도로가 좁으면 공장은 자재를 기다리며 서 있게 돼요. 대역폭은 그 도로의 폭이에요.

그래서 요즘 발표를 보면 세 갈래로 나뉘어요.

• 도로를 넓힌다 — HBM 처럼 통로 자체를 늘리는 방식이에요
• 거리를 줄인다 — 창고를 공장 바로 위에 올리는 zHBM 이 여기 해당해요
• 아예 안 옮긴다 — 창고 안에서 간단한 작업을 끝내는 PIM 이 이쪽이에요

세 가지가 각각 다른 회사의 다른 전략이 아니라, 한 회사가 같은 시기에 동시에 밀고 있다는 점이 지금 상황을 잘 보여줘요. 한 가지 방법만으로는 부족하다는 뜻이니까요.

아래 표는 이 글에서 다루는 2026년 발표를 시간순으로 늘어놓은 것입니다.

발표 시점	무엇	핵심
2026년 2월	HBM4 양산	1c D램 + 4나노 베이스 다이, 업계 최초 양산
2026년 3월 18일	AMD 와 MOU	평택에서 서명. HBM4·파운드리·첨단 패키징
2026년 5월 29일	HBM4E 샘플 출하	12단 48GB, 스택당 최대 3.6TB/s
2026년 6월 23일	UFS 5.0 개발	최대 10.8GB/s, 4분기 양산 예정
2026년 7월 8일	PM1763 양산	PCIe 6.0 기업용 SSD, 16TB
2026년 7월 25일	브로드컴과 MOU	5년간 2,000억 달러 이상 규모로 추정
2026년 8월 4일	반도체 특별법 시행령 의결	국무회의 통과
2026년 8월 5일	FMS 2026	zHBM·zNAND-O 개념 모델, V10 BV-NAND
2026년 8월 12일	「7대 SEED」 보고회	K-퀀텀 파운드리, 핵심광물·소부장
2026년 8월 13일	해상풍력 현장 점검	96MW 단지를 호남권 반도체 클러스터 전력원으로

HBM4는 이미 양산에 들어갔습니다 — 2026년 2월

HBM 은 D램을 여러 층으로 쌓아 한 덩어리로 만든 메모리입니다. 층마다 통로를 뚫어 한꺼번에 데이터를 주고받기 때문에, 같은 D램이라도 훨씬 넓은 대역폭이 나옵니다.

삼성전자 발표에 따르면 HBM4 는 2026년 2월에 업계에서 처음으로 양산과 상용 출하에 들어갔습니다. 여기 쓰인 조합이 두 가지인데, 이 조합이 뒤에 나오는 HBM4E 에도 그대로 이어집니다.

• 1c D램 — 10나노급 6세대 D램 공정입니다. HBM 을 이루는 코어 다이가 이 공정으로 만들어집니다
• 4나노 베이스 다이 — 쌓인 D램 아래에 깔리는 로직 칩입니다. 삼성 파운드리의 4나노 공정으로 만듭니다

메모리 회사가 자기 파운드리에서 베이스 다이를 뽑는다는 점이 여기서 중요합니다. HBM 은 메모리 기술만으로 끝나지 않고 로직 공정과 패키징이 함께 맞물려야 완성되기 때문입니다.

성능은 시스템 인 패키지(SiP) 테스트에서 11.7Gbps 로 확인됐다고 회사는 밝혔습니다. 이 값은 2026년 5월 HBM4E 발표문 안에 함께 적혀 있습니다.

HBM4E는 무엇이 달라졌나

2026년 5월 29일, 삼성전자는 업계 최초로 12단 HBM4E 샘플을 주요 글로벌 고객사에 출하했다고 발표했습니다. 발표문에 적힌 값을 HBM4 와 나란히 놓으면 이렇습니다.

항목	HBM4	HBM4E
핀 속도	11.7Gbps (SiP 테스트)	14Gbps 안정 동작, 최대 16Gbps 까지 확장
스택당 대역폭	(발표문에 값 없음)	최대 3.6TB/s
12단 용량	(발표문에 값 없음)	48GB
코어 다이	1c D램	1c D램 (동일)
베이스 다이	4나노 로직	4나노 로직 (동일)
상태	2026년 2월 양산	2026년 5월 샘플 출하

발표문 표현으로는 핀 속도가 HBM4 대비 20% 이상 올랐고, 12단 48GB 용량은 이전 세대보다 30% 이상 늘어난 값입니다. 에너지 효율은 16%, 열저항 특성은 14% 이상 개선됐다고 적혀 있습니다.

열 얘기가 성능 얘기와 나란히 나오는 게 눈에 띕니다. 층을 쌓을수록 가운데 층의 열이 빠져나갈 길이 줄어드는데, 데이터센터에서 오래 돌리려면 이쪽이 발목을 잡습니다. 발표문도 “장시간 신뢰성”과 “에너지 소비”를 함께 들고 있습니다.

라인업은 12단 48GB 외에 8단 32GB, 16단 64GB 로 넓힐 계획이라고 회사는 밝혔습니다. 양산 시점은 고객사 일정에 맞춰 정하겠다는 것이 발표 시점의 입장입니다.

숫자를 옮길 때 헷갈리는 것 — 핀 속도와 대역폭은 다릅니다

기사마다 단위가 섞여 나와서 같은 제품인데 다른 제품처럼 읽히는 일이 잦습니다. 두 값은 재는 대상이 다릅니다.

값	무엇을 재나	HBM4E 기준
핀 속도 (Gbps)	통로 한 가닥이 1초에 나르는 비트 수	14Gbps (최대 16Gbps)
스택당 대역폭 (TB/s)	쌓인 한 덩어리 전체가 1초에 나르는 양	최대 3.6TB/s

통로가 몇 가닥이냐에 따라 두 값의 관계가 정해집니다. 그래서 핀 속도만 보고 세대를 비교하거나, 대역폭만 보고 개별 통로가 빨라졌다고 읽으면 어긋납니다. 둘은 같이 봐야 합니다.

낸드는 층을 쌓는 경쟁에서 붙이는 경쟁으로 갔습니다

저장장치에 쓰이는 낸드 쪽에서는 방식 자체가 한 번 꺾였습니다.

FMS 2026 에서 삼성전자는 V10 BV-NAND 를 공개했습니다. 이름의 BV 는 Bonding V-NAND, 그러니까 웨이퍼를 붙이는 방식이라는 뜻입니다. 발표문에 적힌 값은 이렇습니다.

항목	내용
적층	400단 이상
방식	웨이퍼 본딩으로 메모리 셀을 쌓음
밀도	이전 세대(V9) 대비 약 58% 증가
그 밖	읽기·쓰기·I/O 성능도 이전 세대보다 개선

기존 방식은 한 장의 웨이퍼 위에 층을 계속 올리는 쪽이었습니다. 그런데 층이 수백 단으로 가면 구멍을 위아래로 곧게 뚫는 일 자체가 어려워집니다. 웨이퍼 본딩은 따로 만든 것을 붙여 올리는 쪽이라, 이 한계를 다른 방향으로 피해 갑니다.

발표문은 이 공개가 2013년 플래시 메모리 서밋에서 업계 최초의 V-NAND 를 내놓은 지 13년 만이라는 점도 함께 적었습니다.

zHBM — 메모리를 가속기 “옆”이 아니라 “위”에 둡니다

FMS 2026 발표에서 가장 구조가 크게 바뀐 것은 zHBM 개념 모델입니다. 아직 제품이 아니라 개념 모델이라는 점을 먼저 적어둡니다.

지금까지 HBM 은 AI 가속기 옆에 나란히 놓였습니다. zHBM 은 이걸 가속기 바로 위에 수직으로 쌓겠다는 구상입니다. 데이터가 오가는 거리를 줄이면 대역폭과 전력 효율이 함께 좋아진다는 것이 회사가 밝힌 이유입니다.

발표문에 적힌 기대치는 다음과 같습니다. 모두 HBM5 대비 값입니다.

항목	zHBM 을 포함한 차세대 인터페이스 기대치
성능	약 8배
메모리 밀도	10배 이상 (차세대 웨이퍼 본딩 적용 시)
에너지 효율	3배
열저항	절반 이하로 감소

zHBM 은 고객사별 설계도 지원한다고 적혀 있습니다. 메모리와 AI 가속기 사이의 중간층에 고객 IP 를 넣어 용량을 늘리거나 가속기 성능을 끌어올리는 방식입니다.

zNAND-O와 LPDDR5X-PIM — 연산을 메모리 쪽으로 당깁니다

같은 발표에서 zNAND-O 도 함께 공개됐습니다. V-NAND 를 바탕으로 한 고성능 낸드로, 4단과 8단 두 가지 버전을 개발 중이라고 밝혔습니다. 공간 효율과 I/O 성능, 지연시간을 함께 잡아 실시간 처리가 필요한 엣지 AI 환경을 겨냥한 제품입니다.

한 발 더 나간 쪽은 LPDDR5X-PIM 입니다. PIM 은 Processing-In-Memory, 메모리 안에서 연산을 처리한다는 뜻입니다. 데이터를 연산 장치까지 옮겨서 계산하는 대신 메모리 안에서 일부를 처리해 이동 자체를 줄이는 접근입니다. 삼성전자는 이것을 업계 최초의 LPDDR 계열 PIM 이라고 밝혔습니다.

앞에서 적은 “옮기는 일이 먼저 막혔다”는 문장이 여기서 다시 보입니다. 통로를 넓히는 쪽(HBM)과 거리를 줄이는 쪽(zHBM), 그리고 아예 옮기지 않는 쪽(PIM)이 동시에 진행되고 있습니다.

FMS 2026 전시에서 삼성전자가 함께 내놓은 AI 메모리·스토리지 로드맵에는 HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, PM1763 이 올라 있었고, 부스에는 약 30종의 메모리·스토리지 기술이 전시됐습니다. 전시 현장을 정리한 FMS 2026 참관기도 같은 뉴스룸에 올라와 있습니다.

저장장치도 이제 AI 부품입니다

2026년 7월 8일 삼성전자는 PM1763 의 양산을 발표했습니다. PCIe 6.0 기반의 기업용 SSD 입니다.

항목	PM1753 (이전)	PM1763
인터페이스	—	PCIe 6.0
낸드	—	9세대 V-NAND
컨트롤러	—	새로 개발한 4나노 컨트롤러
용량	—	4TB · 8TB · 16TB
순차 읽기 (16TB)	기준값	최대 28,400MB/s (2배 이상)
순차 쓰기 (16TB)	기준값	최대 21,900MB/s (2배 이상)
전력 효율	기준값	1.8배 이상 개선

발표문은 이 속도를 이렇게 옮겼습니다. 40GB 크기의 거대언어모델을 약 1.4초에 전송할 수 있는 수준입니다.

눈에 띄는 항목이 두 개 더 있습니다. 하나는 냉각입니다. PM1763 은 칩에 직접 냉각을 붙이는 D2C 방식의 액랭 서버 환경에 맞춰 설계됐다고 적혀 있습니다. 다른 하나는 보안입니다. 양자컴퓨터를 염두에 둔 양자내성암호(PQC) 알고리즘과, 가상화 환경에서 데이터 경로를 지키는 TDISP 를 지원합니다.

저장장치 발표문에 냉각과 양자내성암호가 함께 등장하는 건 몇 해 전만 해도 드문 일이었습니다.

휴대폰 쪽은 UFS 5.0입니다

데이터센터 얘기만 이어졌는데, 손에 드는 기기 쪽에서도 같은 방향의 발표가 있었습니다. 2026년 6월 23일 삼성전자는 업계에서 가장 빠른 UFS 5.0 솔루션을 개발했다고 밝혔습니다. UFS 는 스마트폰에 들어가는 저장장치 규격이고, 5.0 은 JEDEC 의 최신 표준입니다.

항목	UFS 4.1	UFS 5.0
순차 읽기	기준값	최대 10.8GB/s (2배 이상)
순차 쓰기	기준값	최대 9.5GB/s (2배 이상)
전력 효율	기준값	40% 이상 개선
패키지 크기	기준값	7.5 × 13 × 0.9mm (16.7% 축소)

전력 효율을 끌어올린 방법으로는 클럭 게이팅과 멀티 전압 기술이 적혀 있습니다. 같은 양의 데이터를 옮길 때 드는 전력을 줄여 배터리 사용 시간을 늘린다는 설명입니다.

양산은 2026년 4분기에 시작하고 용량은 최대 1TB 까지라고 밝혔습니다. 스마트폰뿐 아니라 XR 헤드셋과 AI 웨어러블까지 겨냥한다는 내용도 함께 들어 있습니다.

기기 안에서 AI 를 직접 돌리는 이른바 온디바이스 AI 에서는 모델을 저장장치에서 메모리로 읽어 올리는 시간이 체감 속도를 좌우합니다. 저장장치가 “저장하는 곳”에서 “AI 연산을 받치는 기반”으로 옮겨가고 있다는 것이 발표문의 표현입니다.

공정 미세화는 GAA를 지나 뒷면 배선으로 갔습니다

여기서부터는 시점을 분명히 하고 읽어야 합니다. 아래 로드맵은 2024년 6월 13일 미국 새너제이에서 열린 삼성 파운드리 포럼 2024 발표 기준입니다. 2026년 8월 9일 현재 시점의 최신 로드맵이 아니라, 그때 공개된 계획입니다.

노드	내용	발표 당시 양산 계획
SF4U	4나노 고부가 변형. 광학적 축소 적용	2025년
SF3	2세대 3나노	2024년 하반기
SF2	1세대 2나노	(해당 발표에 별도 시점 없음)
SF2Z	2나노 + 뒷면 전력 공급(BSPDN)	2027년
SF1.4	1.4나노	2027년

GAA 는 게이트가 채널을 네 면에서 감싸는 구조입니다. 삼성전자는 이 발표에서 GAA 공정이 양산 3년째에 들어섰고 수율과 성능이 계속 성숙하고 있다고 밝혔습니다. GAA 양산은 2022년부터 늘어 왔습니다.

왜 2나노에서 “뒷면”이 나오나

SF2Z 에 들어간 BSPDN 은 조금 설명이 필요합니다. 이름 그대로 전력선을 웨이퍼 뒷면으로 옮기는 기술입니다.

지금까지는 신호가 다니는 배선과 전력이 다니는 배선이 칩 앞면에 함께 얹혀 있었습니다. 미세화가 진행될수록 이 둘이 서로 자리를 다투게 되고, 전력선에서 전압이 떨어지는 IR 드롭 현상도 커집니다. 전력선을 뒷면으로 빼면 앞면은 신호에만 쓸 수 있고 병목이 풀립니다.

삼성전자는 SF2Z 에 BSPDN 을 적용해 1세대 2나노인 SF2 보다 전력·성능·면적이 개선되고, IR 드롭이 크게 줄어 고성능 컴퓨팅 설계에서 유리해진다고 밝혔습니다.

같은 발표에서 파운드리 사업부장 최시영 사장은 고속·저전력 데이터 처리를 위해 CPO, 즉 광학 부품을 칩과 함께 패키징하는 기술을 도입할 계획이라고 말했습니다. 전기 신호로 옮기던 것을 빛으로 옮기겠다는 방향입니다.

여기서도 흐름은 같습니다. 트랜지스터를 더 작게 만드는 일만으로는 부족해져서, 배선을 어디에 둘지와 신호를 무엇으로 옮길지를 함께 손보고 있습니다.

뒷면 다음은 “위”입니다 — 42나노 게이트 피치 3D 적층 트랜지스터

배선을 뒷면으로 옮기는 것이 앞면의 자리 다툼을 푸는 방법이라면, 트랜지스터 자체를 위로 쌓는 쪽도 같은 회사 안에서 진행됐습니다. 삼성반도체 뉴스룸이 2026년 6월 17일에 올린 연구팀 인터뷰에 따르면, 삼성전자 반도체연구소 Logic TD 팀이 게이트 피치 42나노의 3D 적층 트랜지스터(3D Stacked FET) 구조를 업계에서 처음으로 구현해 VLSI 심포지엄에서 공개했습니다.

게이트 피치는 이웃한 트랜지스터 게이트의 중심과 중심 사이 간격입니다. 이 값이 짧을수록 같은 면적에 트랜지스터를 더 많이 넣을 수 있어서, 밀도를 재는 잣대로 쓰입니다.

항목	그전까지 보고된 값	이번에 공개된 값
게이트 피치	48나노	42나노 — 실제로 만들어 본 트랜지스터 구조 기준 업계 최소라고 연구팀은 밝혔습니다
나노시트 채널 적층	위 2단 / 아래 2단	위 3단 / 아래 3단
위아래 소자를 잇는 방법	옆으로 돌아가는 “C”자 랩어라운드 콘택트	수직으로 곧장 뚫는 “I”자 RBC — 업계 최초라고 적혀 있습니다

왜 위로 쌓느냐는 질문에 연구팀은 이렇게 답합니다. 트랜지스터를 옆으로 붙일수록 사이를 막는 절연층이 얇아지는데, 그 두께가 물리적 한계에 닿으면 전류를 못 막아 칩이 오작동합니다. 가로 미세화가 걸리는 지점이 여기입니다. 위아래로 쌓으면 두 소자를 가르는 절연층이 수직 방향에 놓여서 바닥 면적을 더 쓰지 않습니다. 연구팀은 이것을 단독주택이 늘어선 동네를 다층 아파트로 바꾸는 일에 빗댔습니다.

숫자로 옮기면 이렇습니다. 소자 두 개가 쓰던 면적을 하나 크기로 줄이므로 같은 면적의 집적도가 이론상 두 배가 되고, 그만큼 전력 효율도 이론상 최대 2배까지 개선될 수 있다는 것이 연구팀의 설명입니다. 인터뷰는 세대에서 세대로 넘어가는 통상적인 미세화가 15퍼센트 안팎의 성능 개선을 내놓는 것과 견줘 이 값을 제시했습니다.

어려웠던 자리도 같이 적혀 있습니다. 위아래를 곧장 잇는 RBC 는 종전 방식보다 세 배 깊게 파야 하고, 그 좁고 깊은 틈을 빈 곳 없이 절연막이나 금속으로 채우는 일이 까다롭습니다. 연구팀은 2026년 VLSI 심포지엄 제출 일정에 맞추려고 2025년 10월까지 RBC 공정을 끝내야 했고, 그달에 걸린 추석 연휴 동안 교대로 나와 네 번의 실험 끝에 조건을 잡았다고 밝혔습니다. 이 논문은 1,000편이 넘는 제출물 가운데 최우수 논문(Best Paper) 으로 뽑혔습니다.

다만 시점을 헷갈리면 안 됩니다. 이건 제품이 아니라 연구 단계입니다. 연구팀 표현으로는 “벽돌을 만든 것”이고, 다음 단계는 그 벽돌로 링 오실레이터와 SRAM 블록을 만들어 신호가 제대로 흐르는지, 데이터가 안정적으로 저장되는지를 확인하는 일입니다. 양산 시점은 이 발표에 들어 있지 않습니다.

파운드리는 이제 패키징까지 묶어서 팝니다

2026년에 나온 두 건의 협력 발표를 나란히 보면 계약의 단위가 달라진 게 보입니다.

시점	상대	내용
2026년 3월 18일	AMD	평택 사업장에서 MOU 서명. HBM4 와 차세대 메모리 아키텍처, 파운드리, 첨단 패키징을 함께 다룸
2026년 7월 25일	브로드컴	메모리와 파운드리를 아우르는 MOU. 2030년까지 5년간 2,000억 달러 이상 규모로 추정

브로드컴과의 협력에서 파운드리 쪽은 2나노 이하 공정이 대상이고, 2나노 공정 위에 올리는 2.3D·2.5D 첨단 패키징까지 넓어질 것으로 발표문은 적고 있습니다. AMD 와의 협력도 메모리와 파운드리, 첨단 패키징을 한 묶음으로 다룹니다.

칩 하나를 맡기던 거래가 메모리·로직·패키징을 묶은 거래로 바뀌고 있다는 뜻입니다. 삼성전자가 자사를 메모리·파운드리·첨단 패키징을 모두 가진 종합반도체회사(IDM)라고 소개하며 “원스톱 턴키”를 앞세우는 것도 같은 맥락입니다.

2나노 얘기 속에서 4나노가 계속 나오는 이유

앞에서 HBM4 의 베이스 다이가 4나노라고 적었습니다. 최신 노드 경쟁이 2나노·1.4나노로 올라간 마당에 왜 4나노가 자꾸 나오는지, 삼성반도체 뉴스룸이 2026년 4월 30일에 따로 설명한 글이 있습니다.

칩을 설계하는 쪽에서 가장 어려운 선택이 최신 공정과 검증된 공정 사이의 선택이라는 것이 글의 출발점입니다. 삼성 파운드리는 최신 공정이 성능 면에서 앞서는 대신 초기 양산에 예상 못 한 변수가 따르고, 오래 돌린 공정은 안정적인 대신 성능에서 아쉬움이 남는다고 적었습니다. 4나노 FinFET 이 그 사이에서 균형을 잡은 자리라는 것이 이 글의 주장입니다.

4나노를 고르는 이유	발표문에 적힌 내용
예측 가능성	여러 해 대량 양산으로 다듬어져 결함률이 낮고 품질이 일정합니다. 몇 개가 나오고 얼마가 들고 언제 준비되는지를 알고 시작할 수 있습니다
같은 노드 안의 선택지	성능이 우선이면 uLVT(초저전압 문턱) 옵션으로 스위칭 속도를 올리고, 배터리가 우선이면 HVT(고전압 문턱) 옵션으로 누설 전류를 줄여 대기전력을 낮춥니다
배선 재설계	칩 안 배선 구조를 다시 짜서 신호 지연을 약 26퍼센트 줄였다고 적혀 있습니다
위치	FinFET 구조를 가장 다듬은 마지막 세대로, GAA 로 넘어가는 문턱에서 개발됐습니다

이 공정이 실제로 무엇에 쓰이는지도 함께 적혀 있는데, 앞에서 본 HBM4 가 여기 다시 나옵니다.

• HBM4 베이스 다이 — 2026년 2월에 양산에 들어간 그 베이스 다이가 이 4나노 공정으로 만들어집니다. 좁은 공간에서 대역폭을 내야 하는 만큼 저전압 동작과 낮은 저항의 배선으로 전력 손실을 줄이는 쪽이 중요하다고 설명합니다
• AI 가속기 — 미국의 한 회사가 만드는 LPU(언어처리장치)가 대면적 다이 구조로 이 공정을 쓴다고 적혀 있습니다. 회사 이름은 발표문에 나오지 않습니다
• 차량용 — 자율주행 기능이 들어간 차는 배터리와 열의 제약 안에서 큰 연산을 해야 하는 쪽입니다
• 통신 — Wi-Fi 8 과 6G 를 내다본 통신 칩

메모리 회사가 자기 파운드리에서 베이스 다이를 뽑는다는 앞의 이야기가 여기서 한 바퀴 돕니다. HBM 의 성능을 올리는 일이 D램 공정만의 일이 아니라 로직 공정을 어디까지 다듬어 놨느냐에도 걸려 있다는 뜻입니다.

정부는 8월 4일에 시행령을 의결했습니다

기술 얘기와 별개로 제도 쪽에서도 한 건이 지나갔습니다. 산업통상자원부 보도자료 목록에 따르면, 2026년 8월 4일 「반도체산업 경쟁력 강화 및 지원에 관한 특별법 시행령」 제정안이 국무회의에서 의결됐습니다. 담당은 반도체과입니다.

시행령의 구체적인 조문 내용은 목록 페이지에서 제목과 날짜만 확인할 수 있었습니다. 조문을 직접 확인하지 못했으므로 이 글에서는 의결됐다는 사실까지만 적습니다. 내용은 원문을 확인한 뒤 이 글에 채워 넣겠습니다.

8월 12일에는 「7대 SEED」 보고회가 열렸습니다

여드레 뒤에 한 건이 더 지나갔습니다. 산업통상부가 2026년 8월 12일에 낸 보도참고자료를 보면, 같은 날 청와대 충무실에서 관계부처 합동으로 미래성장동력 「7대 SEED」 보고회가 열렸습니다. SEED 는 Strategic Emerging Engines for Disruptive innovation 의 약자로 자료에 적혀 있어요. 과학기술정보통신부가 추진 방안을 발표했고, 산업통상부가 일곱 번째 항목인 첨단 공급망 전략을 함께 냈습니다.

이 글과 겹치는 대목이 두 군데입니다.

항목	자료에 적힌 것
양자 — K-퀀텀 파운드리	반도체 파운드리 대기업 중심으로 민·관이 공동 출자하는 특수목적법인(SPC) 설립 추진. 2029년까지 오류정정이 가능한 100큐비트 양자프로세서(QPU) 확보, 2035년 양자칩 제조역량 1위
첨단 공급망 — 핵심광물·소부장	10대 핵심광물 재자원화율 20% (2030년까지). 비축품목 24종 → 29종, 비축물량 최대 180일 → 365일. 새만금 비축기지 2028년 가동
첨단 공급망 — R&D	역량강화 필요품목에 5년간 10조 원 규모 R&D. 그 안에 5년간 5조 원 규모의 「15대 함께성장 프로젝트」
재원	자료 마지막에 “반도체 등 메가 프로젝트로 창출된 자본을 재투자” 한다고 적혀 있습니다

양자칩 쪽을 눈여겨볼 만합니다. 자료는 K-퀀텀 파운드리를 “세계 최고 수준의 반도체 역량을 기반으로” 추진한다고 적었어요. 이 글 앞부분에서 본 파운드리 공정과 패키징 역량이 양자컴퓨터 칩 양산 쪽으로도 이어진다는 계획입니다. 다만 참여 기업 이름이나 출자 규모는 자료에 없습니다.

숫자를 옮길 때 하나 짚어 둡니다. 위의 10조 원·5조 원은 핵심광물과 소재·부품·장비 전체에 걸린 금액이고, 반도체 몫이 얼마인지는 이 자료에 나오지 않습니다. 붙임 문서인 「첨단기술이 여는 미래」에 세부 로드맵이 있다고 적혀 있는데, 그 파일은 아직 열어보지 못했습니다.

다음 날에는 그 메가 프로젝트에 쓸 전기 이야기가 나왔습니다

바로 위 표의 마지막 줄이 “반도체 등 메가 프로젝트”였는데, 하루 뒤 자료에서 그 프로젝트에 전기를 어디서 대는지가 나왔습니다.

기후에너지환경부가 2026년 8월 13일에 낸 보도자료를 보면, 한성숙 국무총리가 같은 날 오후 전남 신안군의 전남해상풍력 발전단지(96MW) 유지보수 센터와 발전시설을 찾았습니다. 민간이 주도해 상업 운전 중인 해상풍력 가운데 국내 최초·최대 규모라고 자료는 적고 있어요.

반도체와 이어지는 대목은 총리 발언에 그대로 있습니다. 자료에 따르면 총리는 정부가 추진 중인 반도체·AIDC·피지털 AI 등 3대 메가 프로젝트 성공을 위해서는 해상풍력 등을 활용한 풍부한 청정전력 확보가 필수적이라고 말했고, 해상풍력 보급을 호남권 반도체 클러스터 등 지역 첨단산업의 주요 전력 공급원 으로 자리잡게 지원하겠다고 밝혔습니다.

항목	자료에 적힌 것
발전단지 규모	전남해상풍력 96MW · 발전설비 1기당 10MW급
위치	전남 신안군 (서남해 해상풍력 확산의 시작으로 평가)
반도체와의 연결	호남권 반도체 클러스터 등 지역 첨단산업의 주요 전력 공급원으로 지원
제도	하반기 중 제1회 해상풍력발전위원회 개최 · 입지개발·수용성 확보·인허가를 단축하는 계획입지제도 추진

이 글이 내내 다룬 것은 칩 안에서 데이터를 옮길 때 드는 전력을 깎는 일이었습니다. HBM4E의 전력 효율, UFS 5.0의 40% 개선, SF2Z의 뒷면 전력 공급이 전부 그 이야기였어요. 이 자료는 반대쪽 끝, 그러니까 그 칩을 만들고 돌릴 공장과 데이터센터에 들어갈 전기를 어디서 끌어오느냐를 다룹니다. 둘은 같은 문제의 양쪽입니다.

다만 이 자료에 반도체 클러스터가 실제로 몇 MW를 쓰게 되는지, 96MW 가운데 얼마가 그쪽으로 가는지는 적혀 있지 않습니다. 계획입지제도의 조문도 아직 나오지 않았어요. 여기서는 총리가 그렇게 말했다는 사실까지만 적습니다. 기후에너지환경부 2026년 8월 13일 자료 · 2026년 8월 14일 확인.

이게 우리 생활에는 어떻게 닿나요

데이터센터 장비 얘기가 대부분이라 남의 일처럼 들릴 수 있어요. 그런데 닿는 지점이 몇 군데 있어요.

가장 가까운 건 손에 든 기기예요. UFS 5.0 은 스마트폰에 들어가는 저장장치 규격이고, 양산 시작 시점이 2026년 4분기로 발표됐어요. 기기 안에서 AI 를 돌릴 때 모델을 읽어 올리는 시간이 줄면 반응 속도가 달라져요. 발표문이 지연시간과 응답 속도를 앞세운 이유가 그거예요.

두 번째는 전력이에요. UFS 5.0 은 전력 효율을 40% 이상, PM1763 은 1.8배 이상 개선했다고 발표했어요. 배터리 사용 시간이나 데이터센터 운영비 같은 값으로 되돌아오는 항목이에요.

세 번째는 조금 멀지만 큰 쪽이에요. 이 글에 적은 발표는 대부분 한국 기업이 한국 사업장을 포함해 진행하는 일이에요. AMD 와의 MOU 서명식도 평택 사업장에서 열렸어요. 반도체 수출은 우리 경제에서 비중이 큰 항목이라, 이 분야의 흐름은 환율이나 고용 같은 데까지 이어져요.

그 크기를 이번에 숫자로 채웠습니다

이 글은 그동안 “연결의 크기를 적으려면 통계 원문이 필요한데 확보하지 못했다”고 적어 왔어요. 재정경제부가 2026년 8월 14일에 낸 「2026년 8월 최근 경제동향」(2026-08-15 확인)에 그 자리를 채울 숫자가 있습니다.

항목	값	견줌
7월 수출액	988억 9000만 달러	전년 같은 달보다 62.8% 증가
7월 일평균 수출액	41억 2000만 달러	전년 대비 69.6% 증가
6월 전산업생산	전월 대비 +2.3%	광공업 6.4% · 서비스업 0.7% · 건설업 4.1%
6월 설비투자	전월 대비 +5.8%	기계류·운송장비 모두 증가

자료는 수출이 “반도체와 컴퓨터, 선박 등을 중심으로” 큰 폭의 증가세를 이어갔다고 적었어요. 이 글이 앞에서 본 HBM4 양산과 400단 낸드, PM1763 같은 발표가 놓인 자리가 여기입니다.

고용 쪽은 방향이 갈립니다. 7월 취업자는 2913만 6000명으로 1년 전보다 10만 8000명 늘었는데, 제조업은 6만 8000명 줄었어요. 건설업도 5만 7000명 줄었고 청년층 취업자는 19만 1000명 감소했습니다. 늘어난 몫은 서비스업(29만 5000명)에서 나왔어요. 수출이 크게 늘어난 달에도 제조업 일자리가 같이 늘지는 않았다는 뜻입니다.

여기까지는 경제동향 자료를 통해 본 숫자였는데, 통계를 만든 기관의 원문을 직접 열어 봤습니다. 국가데이터처가 2026년 8월 12일에 낸 「2026년 7월 고용동향」(2026년 8월 17일 확인)입니다. 취업자 수는 위와 같은 2913만 6000명(+10만 8000명, 0.4%)인데, 경제동향 자료에는 없던 칸이 네 개 더 있어요.

이 표에서 눈에 걸리는 건 취업자가 10만 8000명 늘었는데 실업자도 5만명 늘었다는 대목이에요. 자료는 두 값을 나란히 적어 둘 뿐 왜 그런지는 설명하지 않으니, 이 글에서도 해석은 붙이지 않고 그대로 옮깁니다. 다만 한 가지는 계산으로 확인돼요. 청년층 실업률의 1.3%p 상승폭이 전체 실업률 상승폭(0.2%p)의 여섯 배가 넘습니다. 앞 문단에서 본 청년층 취업자 19만 1000명 감소와 같은 방향이에요. 계절조정 실업률은 2.6%로 전월보다 0.2%p 내렸으니, 달 단위의 흐름과 1년 전 대비의 흐름이 서로 반대로 움직이고 있는 구간입니다.

반도체 얘기를 하다 고용 숫자까지 온 이유는 하나예요. 수출이 62.8% 늘어난 달에도 제조업 취업자는 줄었고, 청년 실업률은 올랐습니다. 이 글이 앞에서 본 HBM4·400단 낸드 같은 발표가 곧바로 일자리 숫자로 옮겨 가지는 않는다는 뜻입니다. 자세한 통계표는 원문에 첨부파일(ssec2607)로 붙어 있는데, 첨부 안의 표는 열어 확인하지 못했으므로 이 글에는 보도자료 본문에 적힌 값만 옮겼습니다.

정부 평가는 수출이 큰 폭으로 늘고 내수가 개선되면서 경기회복 흐름이 강화되고 있다는 쪽이고, 동시에 중동전쟁 불확실성에 따른 고유가·물가 상승 압력과 취약계층 고용 부담은 이어지고 있다고 덧붙였습니다.

반도체만 따로 뽑은 금액은 이 자료에 없습니다. “반도체와 컴퓨터, 선박 등을 중심으로”라는 서술까지가 자료에 적힌 전부라, 988억 9000만 달러 가운데 반도체 몫이 얼마인지는 여기서 적지 않았어요.

열이 왜 자꾸 같이 나오나요

발표문을 읽다 보면 성능 얘기 옆에 열저항이라는 말이 꼭 따라붙어요. HBM4E 는 열저항 특성 14% 이상 개선, zHBM 은 열저항 절반 이하라고 적혀 있어요.

이유는 구조에 있어요. 메모리를 위로 쌓으면 가운데 층은 사방이 다른 칩으로 둘러싸여요. 열이 빠져나갈 길이 줄어드는 거예요. 층을 더 쌓을수록 이 문제는 커지고, 어느 지점부터는 성능을 올려도 열 때문에 그 성능을 계속 쓰지 못하게 돼요.

PM1763 이 칩에 냉각을 직접 붙이는 D2C 액랭 환경에 맞춰 설계됐다는 대목도 같은 맥락이에요. 발표문은 이걸 “집중적인 작업 부하와 장시간 운전 조건에서도 최고 성능을 유지하기 위한 것”이라고 적었어요.

쌓는 경쟁이 곧 식히는 경쟁이 된 셈이에요.

이 글에서 다루지 못한 것

SK하이닉스 발표는 이 글에 들어 있지 않습니다. 넣지 않은 이유는 하나입니다. 이번 작업에서 SK하이닉스 뉴스룸의 1차 자료를 확보하지 못했습니다.

검색 결과 요약에는 관련 내용이 여럿 나옵니다. 다만 검색 요약을 원문 확인 없이 옮겨 적으면 다른 해의 발표가 올해 것으로 섞여 들어가는 일이 실제로 생깁니다. 그래서 원문을 열어 확인한 것만 적었습니다. SK하이닉스 쪽 자료가 확보되면 이 글에 따로 더하겠습니다.

TSMC, JEDEC 표준 문서, 한국반도체산업협회 통계도 같은 이유로 빠졌습니다.

자주 묻는 질문

HBM4 와 HBM4E 는 다른 세대인가요?

발표문 기준으로 HBM4E 는 HBM4 의 확장판에 가깝습니다. 코어 다이(1c D램)와 베이스 다이(4나노 로직)가 같은 조합이고, HBM4 양산 과정에서 다듬은 기술을 그대로 쓴다고 적혀 있습니다. 삼성전자 2026년 5월 29일 발표 · 2026년 8월 9일 확인.

HBM4E 는 지금 살 수 있나요?

아닙니다. 2026년 5월 29일 시점에서 발표된 것은 주요 글로벌 고객사 대상 샘플 출하입니다. 양산은 고객사 일정에 맞춰 시작하겠다고 밝혔습니다. 삼성전자 2026년 5월 29일 발표 · 2026년 8월 9일 확인.

zHBM 은 언제 나오나요?

시점은 발표되지 않았습니다. FMS 2026 에서 공개된 것은 제품이 아니라 개념 모델입니다. 성능 수치도 HBM5 대비 기대치로 제시된 값입니다. 삼성전자 2026년 8월 5일 발표 · 2026년 8월 9일 확인.

400단 낸드가 나오면 SSD 용량이 바로 늘어나나요?

발표문에 담긴 것은 밀도가 이전 세대(V9)보다 약 58% 늘었다는 값과 읽기·쓰기·I/O 성능이 개선됐다는 내용까지입니다. 제품 용량이나 출시 시점은 이 발표에 들어 있지 않습니다. 삼성전자 2026년 8월 5일 발표 · 2026년 8월 9일 확인.

UFS 5.0 이 들어간 휴대폰은 언제 나오나요?

기기 출시 일정은 발표되지 않았습니다. 발표된 것은 UFS 5.0 솔루션의 양산을 2026년 4분기에 시작한다는 내용입니다. 삼성전자 2026년 6월 23일 발표 · 2026년 8월 9일 확인.

2나노 공정은 지금 양산 중인가요?

이 글에 인용한 로드맵은 2024년 6월 13일 삼성 파운드리 포럼 발표 기준이고, 그때 SF2Z 의 양산 계획은 2027년으로 제시됐습니다. 2026년 8월 현재의 진행 상황은 1차 자료를 확인하지 못했으므로 이 글에서는 적지 않습니다. 삼성전자 2024년 6월 13일 발표 · 2026년 8월 9일 확인.

42나노 3D 적층 트랜지스터가 들어간 칩은 언제 살 수 있나요?

시점은 발표되지 않았습니다. 공개된 것은 VLSI 심포지엄에 낸 연구 성과이고, 연구팀은 다음 단계를 링 오실레이터와 SRAM 블록 같은 회로 구현으로 잡고 있다고 밝혔습니다. 삼성반도체 뉴스룸 2026년 6월 17일 게재 · 2026년 8월 16일 확인.

최신 공정이 2나노인데 왜 HBM4 베이스 다이는 4나노인가요?

삼성 파운드리는 4나노 FinFET 을 여러 해 대량 양산으로 다듬어 결함률과 품질이 일정한 공정으로 설명하고, HBM4 베이스 다이처럼 좁은 공간에서 전력 손실을 줄여야 하는 설계에 그 성숙도가 맞는다고 밝혔습니다. 삼성반도체 뉴스룸 2026년 4월 30일 게재 · 2026년 8월 16일 확인.

PIM 은 그래픽카드의 메모리와 무엇이 다른가요?

PIM 은 메모리 안에서 연산의 일부를 직접 처리하는 방식입니다. 데이터를 연산 장치까지 옮기지 않아도 되는 만큼 이동에 드는 시간과 전력이 줄어듭니다. 삼성전자는 LPDDR5X-PIM 을 업계 최초의 LPDDR 계열 PIM 이라고 밝혔습니다. 삼성전자 2026년 8월 5일 발표 · 2026년 8월 9일 확인.

나노 숫자가 작아지면 그만큼 좋아지는 건가요?

발표 자료만 놓고 보면 최근 개선은 숫자를 줄이는 것 외의 항목에서도 나옵니다. SF2Z 는 같은 2나노대인 SF2 와 견줘 전력선을 뒷면으로 옮긴 것이 차이이고, 개선 근거로 IR 드롭 감소가 제시됐습니다. 삼성전자 2024년 6월 13일 발표 · 2026년 8월 9일 확인.

출처

아래 표에서 마지막 다섯 줄을 뺀 나머지는 2026년 8월 9일에 확인했습니다. 확인 경로는 각 매체의 공식 뉴스룸 피드입니다. 「7대 SEED」 자료는 2026년 8월 12일에, 기후에너지환경부 해상풍력 자료는 2026년 8월 14일에, 재정경제부 최근 경제동향은 2026년 8월 15일에, 삼성반도체 뉴스룸 두 건은 2026년 8월 16일에, 국가데이터처 「2026년 7월 고용동향」은 2026년 8월 17일에 확인했습니다.

매체	제목	자료 시점
삼성전자 글로벌 뉴스룸	Samsung Unveils Next-Gen 3D-Memory Vision at FMS 2026	2026-08-05
삼성반도체 뉴스룸	Inside FMS 2026: Samsung Electronics Showcases the Future of AI Memory	2026-08-05
삼성전자 글로벌 뉴스룸	Samsung Electronics and Broadcom Expand Strategic Collaboration	2026-07-25
삼성전자 글로벌 뉴스룸	Samsung Begins Mass Production of PM1763 SSD	2026-07-08
삼성전자 글로벌 뉴스룸	Samsung Unveils Industry’s Fastest UFS 5.0 Solution	2026-06-23
삼성전자 글로벌 뉴스룸	Samsung Electronics Begins Shipment of Industry-First HBM4E Samples	2026-05-29
삼성전자 글로벌 뉴스룸	Samsung and AMD Expand Strategic Collaboration	2026-03-18
삼성전자 글로벌 뉴스룸	Samsung Showcases AI-Era Vision and Latest Foundry Technologies at SFF 2024	2024-06-13
산업통상자원부	보도·참고자료 목록 — 반도체 특별법 시행령 국무회의 의결	2026-08-04
산업통상부 (정책브리핑 게재)	(참고자료) 첨단기술이 여는 미래, 미래성장동력 「7대 SEED」 보고회 개최	2026-08-12
기후에너지환경부 (정책브리핑 게재)	국무총리, 전남해상풍력 발전단지(96MW) 현장 방문 — 호남권 반도체 클러스터 전력공급원	2026-08-13
재정경제부 (정책브리핑 게재)	「2026년 8월 최근 경제동향」 — 7월 수출 988억 9000만 달러, 반도체·컴퓨터·선박 중심 62.8% 증가	2026-08-14
삼성반도체 뉴스룸	Breaking Through the Limits of Horizontal Scaling with Vertical Innovation — 42나노 게이트 피치 3D 적층 트랜지스터	2026-06-17
삼성반도체 뉴스룸	Samsung Foundry 4nm FinFET: The Best of Both Worlds for Performance and Reliability	2026-04-30
국가데이터처	「2026년 7월 고용동향」 — 15~64세 고용률 70.3%, 청년층 실업률 6.8%	2026-08-12